This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices, micro electro mechanical devices, microfluidic devices, and more particularly to a lithographic template, a method of forming the lithographic template and a method for forming devices with the lithographic template. The lithographic template (10) is formed having a substrate (12), an optional etch stop layer (16) formed on a surface (14) of the substrate (12), and a patterning layer (20) formed on a surface (18) of the etch stop layer (16). The template (10) is used in the fabrication of a semiconductor device (30) for affecting a pattern in device (30) by positioning the template (10) in close proximity to semiconductor device (30) having a radiation sensitive material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation sensitive material to flow into the relief image present on the template. Radiation is then applied through the template so as to further cure portions of the radiation sensitive material and further define the pattern in the radiation sensitive material. The template (10) is then removed to complete fabrication of semiconductor device (30).

Cette invention concerne des dispositifs de semi-conducteur, dispositifs microélectroniques, dispositifs mécaniques d'électro micro, dispositifs microfluidic, et plus en particulier à un calibre lithographique, à une méthode de former le calibre lithographique et à une méthode pour former des dispositifs avec le calibre lithographique. Le calibre lithographique (10) est formé en ayant un substrat (12), une couche facultative d'arrêt gravure à l'eau forte (16) formée sur un (14) extérieur du substrat (12), et une couche modelante (20) formée sur un (18) extérieur de la couche d'arrêt gravure à l'eau forte (16). Le calibre (10) est employé dans la fabrication d'un dispositif de semi-conducteur (30) pour affecter un modèle dans le dispositif (30) en plaçant le calibre (10) dans la proximité étroite au dispositif de semi-conducteur (30) faisant former un matériel sensible de rayonnement là-dessus et appliquant une pression de causer au rayonnement le matériel sensible à l'écoulement dans l'image en relief actuelle sur le calibre. Le rayonnement est alors appliqué par le calibre afin de traiter plus loin des parties du matériel sensible de rayonnement et définir plus loin le modèle dans le matériel sensible de rayonnement. Le calibre (10) est alors enlevé pour accomplir la fabrication du dispositif de semi-conducteur (30).