Apparatus for electrostatic clamping of a semiconductor wafer in a vacuum processing chamber wherein an ion beam is applied to the wafer. In a first embodiment, the apparatus includes an electrically conductive platen, a resilient, thermally-conductive dielectric layer affixed to the platen and one or more conductive wires positioned on the clamping surface. A clamping voltage is applied between the wires and the platen to firmly clamp the wafer against the clamping surface and depress the wires into the resilient dielectric layer. In a second embodiment, a three-phase wafer clamping apparatus includes a platen divided into three electrically isolated sections. One phase of a three-phase clamping voltage is connected to each of the platen sections. In the three-phase configuration, the wafer charging current is very small, and the clamping force is essentially constant. In a third embodiment, a six phase wafer clamping apparatus includes a platen having six symmetrically located electrodes. Voltages with six different phases are applied to the electrodes, with the voltages applied to electrodes on opposite sides of the platen being one-half cycle out of phase. The applied voltages are preferably bipolar square waves.

Apparecchio per la pressione elettrostatica di una cialda a semiconduttore in un vuoto che procede alloggiamento in cui un fascio ionico è applicato alla cialda. In un primo incorporamento, l'apparecchio include una lastra elettricamente conduttiva, uno strato dielettrico resiliente e termico-conduttivo affisso alla lastra ed uno o più legare conduttivi posizionati sulla superficie di pressione. Una tensione di pressione è applicata fra i legare e la lastra per premere saldamente la cialda contro la superficie di pressione e per deprimere i legare nello strato dielettrico resiliente. In un secondo incorporamento, una cialda a tre fasi che preme l'apparecchio include una lastra divisa in tre sezioni elettricamente isolate. Una fase di una tensione di pressione a tre fasi è collegata a ciascuna delle sezioni della lastra. Nella configurazione a tre fasi, la corrente di carica della cialda è molto piccola e la forza di pressione è essenzialmente costante. In un terzo incorporamento, una cialda di sei fasi che preme l'apparecchio include una lastra che ha sei elettrodi simmetricamente individuati. Le tensioni con sei fasi differenti si applicano agli elettrodi, con le tensioni applicate agli elettrodi dai lati opposti della lastra che è di a metà di ciclo dalla fase. Le tensioni applicate sono onde quadrate preferibilmente bipolari.