A Magnetic Random Access Memory ("MRAM") device includes an array of memory cells. The device generates reference signals that can be used to determine the resistance states of each memory cell in the array, despite variations in resistance due to manufacturing tolerances and other factors such as temperature gradients across the array, electromagnetic interference and aging.

Μια μαγνητική τυχαία συσκευή μνήμης πρόσβασης ("MRAM") περιλαμβάνει μια σειρά κυττάρων μνήμης. Η συσκευή παράγει τα σήματα αναφοράς που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να καθορίσουν τις καταστάσεις αντίστασης κάθε κυττάρου μνήμης στη σειρά, παρά τις παραλλαγές στην αντίσταση λόγω στις ανοχές κατασκευής και άλλους παράγοντες όπως οι κλίσεις θερμοκρασίας πέρα από τη σειρά, την ηλεκτρομαγνητική παρέμβαση και τη γήρανση.