A semiconductor device has an N-channel output transistor N1 including a first gate electrode GP11A formed to surround contact holes C11 in a drain region of the output transistor for contacting a first wiring M11. An N-channel protective transistor N2 including a second gate electrode GP12A formed to surround contact holes C12 in a drain region for contacting a second wiring M12. The interval of the contact holes C11 is greater than the interval of contact holes C2 in a source region of each the transistors. By changing the number of the contact holes C11, C12 surrounded by the gate electrodes GP11A and GP12A, the size of each of the N-channel output transistor N1 and N-channel protective transistor N2 is changed.

Прибора на полупроводниках имеет транзистор N1 выхода Н-kanala включая первый электрод строба GP11A сформированный для того чтобы окружить отверстия C11 контакта в зоне стока транзистора выхода для контактировать первую проводку M11. N2 транзистора Н-kanala защитный включая второй электрод строба GP12ЈA сформировал для того чтобы окружить отверстия C12 контакта в зоне стока для контактировать вторую проводку M12. Интервал отверстий C11 контакта greater than интервал отверстий c2 контакта в зоне источника каждого транзисторы. Путем изменять номер контакта продырявит C11, C12 окруженного электродами строба GP11A и изменены GP12ЈA, размер каждого из транзистора N1 выхода Н-kanala и n2 транзистора Н-kanala защитный.