A process for producing a semiconductor device comprising an interlayer
dielectric containing an organic film, which process comprises the step of
forming on the interlayer dielectric a three-layer mask comprising a first
mask, a second mask and a third mask in this order from the bottom, in
which the first mask, the second mask and the third mask are made of
materials different from one another, and the second mask is formed from a
film made of a material which protects a film for forming the first mask
during formation of the third mask. The process of the present invention
is advantageous not only in that the second mask serves as a protecting
film for the layers under the first mask during formation of the third
mask, so that etching using a resist mask can be conducted during
formation of the third mask, and further it becomes possible to perform a
regeneration treatment for the resist mask while preventing the layers
under the first mask from suffering a damage, but also in that, as a
material for the first mask, the same material as that for the resist
mask, for example, a carbon-containing material having a low dielectric
constant can be used.
Процесс для производить прибора на полупроводниках состоя из диэлектрика прослойка содержа органическую пленку, которой процесс состоит из шага формировать на диэлектрике прослойка маску 3-slo4 состоя из первой маски, вторую маску и третью маску в этом заказе от дна, в котором первая маска, вторая маска и третьей маске сделан материалов отличающихся от одно другое, и вторая маска сформирована от пленки сделанной из материала который защищает пленку для формировать первую маску во время образования третьей маски. Процесс присытствыющего вымысла выгоден not only в что вторая маска служит как защищая пленка для слоев под первой маской во время образования третьей маски, так, что вытравлять использующ маску сопротивлять можно дирижировать во время образования третьей маски, и продвигает ее будет по возможности для того чтобы выполнить обработку регенерации для маски сопротивлять пока предотвращающ слои под первой маской от терпеть повреждение, но также в том, по мере того как материал для первой маски, такой же материал как то для маски сопротивлять, например, углерод-soderja материала имея низкую диэлектрическую константу можно использовать.
