The invention provides a device comprising an improved n-channel semiconducting film, the film formed from a fused-ring tetracarboxylic diimide compound which exhibits a field effect electron mobility greater than 0.001 cm.sup.2 /Vs, advantageously greater than 0.03 cm.sup.2 /Vs, in film form. Contemplated compounds include naphthalene 1,4,5,8, tetracarboxylic acid diimides, naphthalene 2,3,6,7 tetracarboxylic acid diimides, anthracene 2,3,6,7-tetracarboxylic acid diimides, and heterocyclic variants thereof. The n-channel compounds are capable of being significantly soluble in common organic solvents, allowing for solution deposition of active semiconductor films, and are also capable of possessing significant volatility, such that vapor phase deposition, where desired, is relatively facile. It is also possible for the compounds to display the desirably high n-channel mobilities and on/off ratios even when operated in air.

Η εφεύρεση παρέχει μια συσκευή περιλαμβάνοντας μια βελτιωμένη n-channel ημιαγωγική ταινία, η ταινία που διαμορφώνεται από μια tetracarboxylic ένωση diimide λιώνω-δαχτυλιδιών που εκθέτει μια κινητικότητα ηλεκτρονίων επίδρασης τομέων μεγαλύτερη από 0,001 cm.sup.2/enantj'on, ευνοϊκά μεγαλύτερος από 0,03 cm.sup.2/enantj'on, με μορφή ταινιών. Οι προβλεμμένες ενώσεις περιλαμβάνουν τη ναφθαλίνη 1.4.5.8, το tetracarboxylic οξύ diimides, τη ναφθαλίνη 2.3.6.7 tetracarboxylic οξύ diimides, οξύ ανθρακενίου 2,3,6,7-tetracarboxylic diimides, και ετεροκυκλικές παραλλαγές επ' αυτού. Οι n-channel ενώσεις είναι ικανές σημαντικά διαλυτές στους κοινούς οργανικούς διαλύτες, επιτρέποντας την απόθεση λύσης των ενεργών ταινιών ημιαγωγών, και είναι επίσης σε θέση τη σημαντική αστάθεια, έτσι ώστε η απόθεση φάσης ατμού, όπου επιδιώκεται, είναι σχετικά ευχερής. Είναι επίσης δυνατό για τις ενώσεις να επιδειχθούν οι κατά προτίμηση υψηλές n-channel κινητικότητες και σε/από τις αναλογίες ακόμα και όταν χρησιμοποιημένος στον αέρα.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Fabrication of MIM capacitor in copper damascene process

> Method of etching organic ARCs in patterns having variable spacings

> (none)

~ 00035