An integrated ferroelectric/CMOS structure which comprises at least a ferroelectric material, a pair of electrodes in contact with opposite surfaces of the ferroelectric material, where the electrodes do not decompose at deposition or annealing, and an oxygen source layer in contact with at least one of said electrodes, said oxygen source layer being a metal oxide which at least partially decomposes during deposition and/or subsequent processing is provided as well as a method of fabricating the same.

Uma estrutura integrada de ferroelectric/CMOS que compreenda ao menos um material ferroelectric, um par dos elétrodos no contato com superfícies opostas do material ferroelectric, onde os elétrodos não decompose no deposition ou no recozimento, e uma camada da fonte do oxigênio no contato com ao menos um dos elétrodos ditos, camada dita da fonte do oxigênio que é um óxido de metal que ao menos decomposes parcialmente durante o deposition e/ou processar subseqüente são fornecidas assim como um método de fabricar o mesmo.