An electroluminescent device (10) comprises a porous silicon region (22) adjacent a bulk silicon region (20), together with a top electrical contact (24) of transparent indium tin oxide and a bottom electrical contact (26) of aluminum. The device includes a heavily doped region (28) to provide an ohmic contact. The porous silicon region (22) is fabricated by anodizing through an ion-implanted surface layer of the bulk silicon. The silicon remains unannealed between the ion-implantation and anodization stages. The device (10) has a rectifying p-n junction within the porous silicon region (22).

Μια electroluminescent συσκευή (10) περιλαμβάνει μια πορώδη περιοχή πυριτίου (22) δίπλα σε μια μαζική περιοχή πυριτίου (20), μαζί με μια κορυφαία ηλεκτρική επαφή (24) του διαφανούς οξειδίου κασσίτερου ίνδιου και μια κατώτατη ηλεκτρική επαφή (26) του αργιλίου. Η συσκευή περιλαμβάνει μια βαριά ναρκωμένη περιοχή (28) για να παρέχει μια ωμική επαφή. Η πορώδης περιοχή πυριτίου (22) κατασκευάζεται με την υποβολή σε ανοδική οξείδωση μέσω ενός ιονικός-εμφυτευμένου στρώματος επιφάνειας του μαζικού πυριτίου. Το πυρίτιο παραμένει unannealed μεταξύ των ion-implantation και anodization σταδίων. Η συσκευή (10) έχει μια σύνδεση αποκατάστασης PN μέσα στην πορώδη περιοχή πυριτίου (22).