The present invention is an semiconductor device on a semiconductor substrate and a method for forming an semiconductor device on a semiconductor substrate. The semiconductor device in the present invention comprises a first metal layer, a first diffusion barrier layer on the first metal layer, a second metal layer on the first diffusion barrier layer, an organometallic layer on the second metal layer, and an electrical interconnect layer on the organometallic layer. The first diffusion barrier layer prevents diffusion of the first metal layer and the second metal layer therethrough. The organometallic layer is preferably formed by contacting the second metal layer with an organic material to form a organometallic layer. The organometallic layer chemically and physically protects the second metal layer, particularly by preventing the oxidation thereof.

La présente invention est un dispositif de semi-conducteur sur un substrat de semi-conducteur et une méthode pour former un dispositif de semi-conducteur sur un substrat de semi-conducteur. Le dispositif de semi-conducteur dans la présente invention comporte une première couche en métal, une première couche-barrière de diffusion sur la première couche en métal, une deuxième couche en métal sur la première couche-barrière de diffusion, une couche organométallique sur la deuxième couche en métal, et une couche électrique d'interconnexion sur la couche organométallique. La première couche-barrière de diffusion empêche la diffusion de la première couche en métal et de la deuxième couche en métal par là. La couche organométallique est de préférence constituée en entrant en contact avec la deuxième couche en métal avec un matériel organique pour former une couche organométallique. La couche organométallique chimiquement et protège physiquement la deuxième couche en métal, en particulier en empêchant l'oxydation en.