A semiconductor light emitting device has a transparent substrate, an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, an n-type transparent electrode, a p-type transparent electrode, an n-type bonding pad, and a p-type bonding pad. The n-type semiconductor layer is disposed over the transparent substrate. The p-type semiconductor layer and the n-type transparent electrode are provided on the n-type semiconductor layer and arranged alternatively to each other, where the p-type semiconductor layer and the n-type transparent electrode cover different portions of the n-type semiconductor layer respectively. The p-type transparent electrode is provided in contact with the p-type semiconductor layer. The n-type and p-type bonding pads are disposed on the n-type and p-type transparent electrodes respectively, and the areas of these bonding pads are smaller than the area of the corresponding electrodes.

Um dispositivo emitindo-se claro do semicondutor tem uma carcaça transparente, um n-tipo camada do semicondutor, um p-tipo camada do semicondutor, um n-tipo elétrodo transparente, um p-tipo elétrodo transparente, um n-tipo almofada de ligação, e um p-tipo almofada de ligação. O n-tipo camada do semicondutor é disposto sobre a carcaça transparente. O p-tipo camada do semicondutor e o n-tipo elétrodo transparente são fornecidos no n-tipo camada do semicondutor e arranjados alternativamente a se, onde o p-tipo camada do semicondutor e o n-tipo elétrodo transparente cobrem parcelas diferentes do n-tipo camada do semicondutor respectivamente. O p-tipo elétrodo transparente é fornecido no contato com o p-tipo camada do semicondutor. O n-tipo e o p-tipo almofadas de ligação são dispostos no n-tipo e no p-tipo elétrodos transparentes respectivamente, e as áreas destas almofadas de ligação são menores do que a área dos elétrodos correspondentes.