To enhance the speed of first access (read access different in word line from the previous access) to a multi-bank memory, multi-bank memory macro structures are used. Data are held in a sense amplifier for every memory bank. When access is hit to the held data, data latched by the sense amplifier are output to thereby enhance the speed of first access to the memory macro structures. Namely, each memory bank is made to function as a sense amplifier cache. To enhance the hit ratio of such a sense amplifier cache more greatly, an access controller self-prefetches the next address (an address to which a predetermined offset has been added) after access to a memory macro structure so that data in the self-prefetched address are preread by a sense amplifier in another memory bank.

Per aumentare la velocità di primo accesso (accesso colto differente nella linea di parola dall'accesso precedente) ad una memoria di multi-banca, le strutture a macroistruzione di memoria di multi-banca sono usate. I dati sono tenuti in un amplificatore di senso per ogni banca di memoria. Quando l'accesso è colpito ai dati tenuti, i dati agganciati dall'amplificatore di senso sono prodotti quindi per aumentare la velocità di primo accesso alle strutture di macro di memoria. Vale a dire, ogni banca di memoria è fatta per funzionare come nascondiglio dell'amplificatore di senso. Per aumentare il rapporto di colpo di un tal amplificatore di senso nasconda più notevolmente, un auto-prefetches del regolatore di accesso l'indirizzo seguente (un indirizzo a cui un'immagine riportata predeterminata è stata aggiunta) dopo accesso ad una struttura a macroistruzione di memoria in modo che i dati nell'indirizzo di auto-prefetched siano preread da un amplificatore di senso in un'altra banca di memoria.