This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10.sup.15 bits/cm.sup.3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

Questa invenzione fornisce i dispositivi di memoria ad alta densità del romanzo che sono elettricamente lettura e scrittura efficaci consententi accessibili, che forniscono un'alta densità di memoria (per esempio, 10.sup.15 bits/cm.sup.3), che forniscono un alto grado di tolleranza di errori e che è favorevole a montaggio chimico efficiente del circuito integrato e di sintesi. I dispositivi sono intrinsecamente latchable, defect tollerante e sostengono i cicli indicati distruttivi o non distruttivi. In un metodo di realizzazione preferito, il dispositivo contiene un elettrodo fisso accoppiato elettricamente ad uno strumento di memorizzazione che ha una molteplicità di differente e l'ossidazione distinguibile dichiara in cui i dati sono memorizzati nell'ossidazione detta dichiarano dall'aggiunta o dal ritiro di uno o più elettroni dallo strumento di memorizzazione detto via l'elettrodo elettricamente coppia.