A refractory Metal Nitride and a refractory metal Silicon Nitride layer (64) can be formed using metal organic chemical deposition. More specifically, tantalum nitride (TaN) (64) can be formed by a Chemical Vapor Deposition (CVD) using Ethyltrikis (Diethylamido) Tantalum (ETDET) and ammonia (NH.sub.3). By the inclusion of silane (SiH.sub.4), tantalum silicon nitride (TaSiN) (64) layer can also be formed. Both of these layers can be formed at wafer temperatures lower than approximately 400.degree. C. with relatively small amounts of carbon (C) within the film. Therefore, the embodiments of the present invention can be used to form tantalum nitride (TaN) or tantalum silicon nitride (TaSiN) (64) that is relatively conformal and has reasonably good diffusion barrier properties.

Ένα πυρίμαχο νιτρίδιο μετάλλων και ένα πυρίμαχο στρώμα νιτριδίων πυριτίου μετάλλων (64) μπορούν να διαμορφωθούν χρησιμοποιώντας την οργανική χημική απόθεση μετάλλων. Πιό συγκεκριμένα, το νιτρίδιο τανταλίου (TaN) (64) μπορεί να διαμορφωθεί από μια απόθεση χημικού ατμού (cvd) χρησιμοποιώντας το ταντάλιο Ethyltrikis (Diethylamido) (ETDET) και την αμμωνία (NH.sub.3). Από το συνυπολογισμό silane (SiH.sub.4), το στρώμα νιτριδίων πυριτίου τανταλίου (TaSiN) (64) μπορεί επίσης να διαμορφωθεί. Και τα δύο στρώματα μπορούν να διαμορφωθούν στις θερμοκρασίες γκοφρετών χαμηλότερες από περίπου 400.degree. Γ. με τα σχετικά μικρά ποσά άνθρακα (C) μέσα στην ταινία. Επομένως, οι ενσωματώσεις της παρούσας εφεύρεσης μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να διαμορφώσουν το νιτρίδιο τανταλίου (TaN) ή το νιτρίδιο πυριτίου τανταλίου (TaSiN) (64) που είναι σχετικά σύμμορφα και έχουν τις εύλογα καλές ιδιότητες εμποδίων διάχυσης.