A current confinement region located proximate to a pair of Bragg reflectors in a semiconductor laser and an epitaxial lateral overgrowth layer grown through an aperture in the current confinement region allows a desirable current flow in the laser. The placement of the current confinement region having an aperture formed therein allows the desired current flow through an active layer of the laser. This current flow allows the laser to achieve a single spatial mode output. Furthermore, the ability to place a pair of Bragg reflectors in close proximity to each other achieves a short optical cavity resulting in a single longitudinal mode output. Together, the single spatial mode and single longitudinal mode result in a desired single frequency output. The single frequency output is particularly useful for high speed, high rate optical and telecommunications.

Een huidig gevestigd beperkingsgebied naburig aan een paar reflectors Bragg in een halfgeleiderlaser en een epitaxial zijte sterke groeilaag die door een opening in het huidige beperkingsgebied wordt gekweekt staat een wenselijke huidige stroom in de laser toe. De plaatsing van het huidige beperkingsgebied dat een daarin gevormde opening heeft staat de gewenste huidige stroom door een actieve laag van de laser toe. Deze huidige stroom staat de laser toe om één enkele ruimtewijzeoutput te bereiken. Voorts bereikt de capaciteit om een paar reflectors Bragg in dichte nabijheid aan elkaar te plaatsen een korte optische holte resulterend in één enkele longitudinale wijzeoutput. Samen, resulteren de enige ruimtewijze en de enige longitudinale wijze in gewenste één enkele frequentieoutput. De enige frequentieoutput is bijzonder nuttig voor hoge snelheid, hoog tarief optisch en telecommunicaties.