A method for manufacturing a ferroelectric memory cell includes the steps of forming a bottom electrode layer on a substrate, forming a ferroelectric thin film layer on the bottom electrode layer, forming a top electrode on the ferroelectric thin film layer, forming an encapsulating layer on the top electrode, forming a contact hole through the encapsulating layer, and co-annealing the ferroelectric thin film layer and the top electrode after forming the contact hole.

Un método para fabricar una célula de memoria ferroelectric incluye los pasos de formar una capa del electrodo de tierra en un substrato, formando una capa ferroelectric de la película fina en la capa del electrodo de tierra, formando un electrodo superior en la capa ferroelectric de la película fina, formando una capa de encapsulado en el electrodo superior, formando un agujero del contacto con la capa de encapsulado, y el co-recocido la capa ferroelectric de la película fina y el electrodo superior después de formar el agujero del contacto.