A light emitting device employing gallium nitride type compound semiconductor which generates no crystal defect, dislocation and can be separated easily to chips by cleavage and a method for producing the same are provided. As a substrate on which gallium nitride type compound semiconductor layers are stacked, a gallium nitride type compound semiconductor substrate, a single-crystal silicon, a group II-VI compound semiconductor substrate, or a group III-V compound semiconductor substrate is employed.

Un dispositif d'émission léger utilisant le type semi-conducteur composé de nitrure de gallium qui ne produit d'aucun défaut en cristal, dislocation et peut être séparé facilement aux morceaux par le fendage et une méthode pour la production mêmes sont fournis. Pendant qu'un substrat sur lequel le type semi-conducteur composé de nitrure de gallium pose sont empilés, un type de nitrure de gallium substrat de semi-conducteur composé, un silicium de simple-cristal, un substrat de semi-conducteur composé du groupe II-VI, ou un substrat de semi-conducteur composé du groupe III-V est utilisé.