A nonvolatile ferroelectric memory device with a row redundancy circuit and method for relieving a failed address thereof, can relieve a row address failed in a main cell area and can reduce a layout size of a redundancy circuit. The nonvolatile ferroelectric memory device with row redundancy circuit can include a main cell area having first and second cell array portions each with a plurality of cell arrays, first and second local wordline drivers to respectively drive the first and second cell array portions, and a main wordline driver that outputs a control signal for activating any one of the first and second local wordline drivers of the main cell area. A redundancy cell area has first and second redundancy cell array portions each with a plurality of cell arrays and first and second redundancy local wordline drivers to correct errors generated when a row address of the main cell area is selected. A row redundancy driving circuit outputs an inactive signal to the main wordline driver responsive to the row address errors and outputs a control signal to the first and second redundancy local wordline drivers of the redundancy cell area. A single local decoder applies a driving signal, which will be applied to first and second split wordlines corresponding to any cell of the main cell area and the redundancy cell area, to the first and second local wordline drivers of the main cell area or the redundancy cell area.

Ein permanentes ferroelectric größtintegriertes Speicherbauelement mit einem Reihe Redundanzstromkreis und Methode für das Entlasten einer verlassenen Adresse davon, können eine Reihe Adresse entlasten, die in einem Stammzelle Bereich verlassen wird und können eine Plangröße eines Redundanzstromkreises verringern. Das permanente ferroelectric größtintegrierte Speicherbauelement mit Reihe Redundanzstromkreis kann einen Stammzelle Bereich einschließen, der zuerst hat und zweiter Zellenträger teilt jedes mit einer Mehrzahl der Zellenträger, der zuerst und an zweiter Stelle lokalen wordline Treiber ein, um die ersten und zweiten Zellenträgerteile beziehungsweise zu fahren und des Hauptwordline Treibers, der ein Steuersignal für das Aktivieren irgendein der ersten und zweiten lokalen wordline Treiber des Stammzelle Bereichs ausgibt. Ein Redundanzzelle Bereich hat zuerst und zweite Redundanzzellenträgerteile jeder mit einer Mehrzahl der Zellenträger und zuerst und zweite Redundanz der lokalen wordline Treiber, die erzeugten Störungen zu beheben, wenn eine Reihe Adresse des Stammzelle Bereichs vorgewählt wird. Ein treibender Stromkreis der Reihe Redundanz gibt ein unaktiviertes Signal zum Hauptwordline Treiber aus, der den Reihe Adressierungsfehlern entgegenkommend ist und gibt ein Steuersignal zu den erste und zweite Redundanz lokalen wordline Treibern des Redundanzzelle Bereichs aus. Ein einzelner lokaler Decoder wendet ein treibendes Signal an, das an die wordlines zuerst und an zweiter Stelle aufzuspalten angewendet wird, die jeder möglicher Zelle des Stammzelle Bereichs und des Redundanzzelle Bereichs, den ersten und zweiten lokalen wordline Treibern des Stammzelle Bereichs oder des Redundanzzelle Bereichs entsprechen.