This invention is a method for die separation of a wafer by ion implantation, wherein the die spacing is reduced and the die separation precision reaches a sub-micron level. The separated dies are obtained by wafer splitting after heat treatment and have cleavage roughness at a nano-meter level. The process method comprises the steps of: placing a wafer into an ion implanter; implanting gaseous ions into the split lines of said wafer with assistance of a mask; performing heat treatment of said wafer that is to split at the split lines; and completing die separation.

Esta invención es un método para la separación del dado de una oblea por la implantación de ion, en donde se reduce el espaciamiento del dado y los alcances de la precisión de la separación del dado un nivel sub-micron. Los dados separados son obtenidos por la oblea que parte después del tratamiento de calor y tienen aspereza de la hendidura en un nivel del nanómetro. El método de proceso abarca los pasos de: colocación de una oblea en un implanter del ion; implantar los iones gaseosos en las líneas partidas de la oblea dicha con ayuda de una máscara; realizando el tratamiento de calor de la oblea dicha que debe partir en las líneas partidas; y terminando la separación del dado.