A ridge waveguide-type optical semiconductor device and a method of fabricating the same. The method of fabrication includes forming a first clad layer, a core layer, a second clad layer and a contact layer, in the stated order on a semiconductor substrate, forming a strip-shaped etching mask on the contact layer, removing the contact layer and the second clad layer selectively by etching, using the etching mask, until the core layer is exposed, so as to form a ridge including etched second clad layer, and forming a semiconductor layer by crystal growth, so as to form a mode control layer on the exposed surface of the core layer. The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a first clad layer formed on the substrate, a core layer serving as a waveguide, on the first clad layer, and a strip-shaped second clad layer on the core layer. A mode control layer is formed on the core layer, and insulating layers are formed on the mode control layer, at opposite sides of the second clad layer. To confine light to waveguide, the mode control layer has a refractive index equal to or less than a refractive index of the core layer, and is larger than refractive indexes of the respective insulating layers.

Μια οπτική συσκευή ημιαγωγών κυματοδηγός-τύπων κορυφογραμμών και μια μέθοδος το ίδιο πράγμα. Η μέθοδος επεξεργασίας περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός πρώτου ντυμένου στρώματος, ενός στρώματος πυρήνων, ενός δεύτερου ντυμένου στρώματος και ενός στρώματος επαφών, στη δηλωμένη διαταγή σχετικά με ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, που διαμορφώνει μια λουρίδα-διαμορφωμένη μάσκα χάραξης στο στρώμα επαφών, αφαιρώντας το στρώμα επαφών και το δεύτερο ντυμένο στρώμα επιλεκτικά με τη χάραξη, χρησιμοποιώντας τη μάσκα χαρακτικής, έως ότου εκτίθεται το στρώμα πυρήνων, ώστε να διαμορφωθούν μια κορυφογραμμή συμπεριλαμβανομένου του χαραγμένου δεύτερου ντυμένου στρώματος, και η διαμόρφωση ενός στρώματος ημιαγωγών από την αύξηση κρυστάλλου, ώστε να διαμορφωθεί ένα στρώμα ελέγχου τρόπου στην εκτεθειμένη επιφάνεια του στρώματος πυρήνων. Η συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, ένα πρώτο ντυμένο στρώμα που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα, ένα στρώμα πυρήνων που χρησιμεύει ως ένας κυματοδηγός, στο πρώτο ντυμένο στρώμα, και ένα λουρίδα-διαμορφωμένο δεύτερο ντυμένο στρώμα στο στρώμα πυρήνων. Ένα στρώμα ελέγχου τρόπου διαμορφώνεται στο στρώμα πυρήνων, και τα στρώματα μόνωσης διαμορφώνονται στο στρώμα ελέγχου τρόπου, στις αντίθετες πλευρές του δεύτερου ντυμένου στρώματος. Για να περιορίσει το φως στον κυματοδηγό, το στρώμα ελέγχου τρόπου έχει έναν διαθλαστικό δείκτη ίσο με ή λιγότερο από έναν διαθλαστικό δείκτη του στρώματος πυρήνων, και είναι μεγαλύτερο από τους διαθλαστικούς δείκτες των αντίστοιχων στρωμάτων μόνωσης.