A new method has been provided whereby notch errors that can occur in placing via interconnects over layers of metal have been eliminated. A reference database contains all layout data for semiconductor device cells that are used to create the semiconductor devices. A cell layout is read from the reference database and placed on an intermediate data repository. For this cell, valid locations are determined where via connections must be established. Data for a test via are created, the device of the test via is aligned with and placed ("dropped") over a valid location thereby creating test site. The purpose of the test site is to validate that the via device is correctly aligned with the metal and without any notch errors. Cases where notch errors occur are identified, for those cases a metal form is created whereby the surface of the metal form is identical with the surface of the notch error. The original metal data is merged with the original via device data and the notch error data, thereby creating new metal data that is free of the notch error. The original metal data and the original test via data and the notch error data are purged, the new metal data are stored on a core cell library for further customer use.

Μια νέα μέθοδος έχει παρασχεθεί με το οποίο τα λάθη εγκοπών που μπορούν να εμφανιστούν σε ισχύ μέσω διασυνδέουν πέρα από τα στρώματα του μετάλλου έχουν αποβληθεί. Μια βάση δεδομένων αναφοράς περιέχει όλα τα στοιχεία σχεδιαγράμματος για τα κύτταρα συσκευών ημιαγωγών που χρησιμοποιούνται για να δημιουργήσουν τις συσκευές ημιαγωγών. Ένα σχεδιάγραμμα κυττάρων διαβάζεται από τη βάση δεδομένων αναφοράς και τοποθετείται σε μια ενδιάμεση αποθήκευση στοιχείων. Για αυτό το κύτταρο, οι έγκυρες θέσεις καθορίζονται όπου μέσω των συνδέσεων πρέπει να καθιερωθεί. Τα στοιχεία για μια δοκιμή μέσω δημιουργούνται, η συσκευή της δοκιμής μέσω ευθυγραμμίζεται με και τοποθετείται ("μειωμένοσ") πέρα από μια έγκυρη θέση με αυτόν τον τρόπο που δημιουργεί την περιοχή δοκιμής. Ο σκοπός της περιοχής δοκιμής είναι να επικυρώσει ότι μέσω της συσκευής ευθυγραμμίζεται σωστά με το μέταλλο και χωρίς οποιαδήποτε λάθη εγκοπών. Οι περιπτώσεις όπου τα λάθη εγκοπών εμφανίζονται προσδιορίζονται, για εκείνες τις περιπτώσεις μια μορφή μετάλλων δημιουργείται με το οποίο η επιφάνεια της μορφής μετάλλων είναι ίδια με την επιφάνεια του λάθους εγκοπών. Το αρχικό στοιχείο μετάλλων συγχωνεύεται με τον αρχικό μέσω των στοιχείων συσκευών και των στοιχείων λάθους εγκοπών, με αυτόν τον τρόπο δημιουργώντας το νέο στοιχείο μετάλλων που είναι χωρίς λάθος εγκοπών. Τα αρχικά στοιχεία μετάλλων και η αρχική δοκιμή μέσω των στοιχείων και τα στοιχεία λάθους εγκοπών εξαγνίζονται, τα νέα στοιχεία μετάλλων αποθηκεύονται σε μια βιβλιοθήκη κυττάρων πυρήνων για την περαιτέρω χρήση πελατών.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Correction of field effects in photolithography

> Method to identify unit pins that are not optimally positioned in a hierarchically designed VLSI chip

> (none)

~ 00032