A chemical vapor deposition reactor includes a pancake type induction heating device to achieve operating temperature within the reactor chamber. By design of the susceptor, the induction magnetic force created at the top surface of the susceptor is insufficient to effect levitation of the wafer carrier during epitaxial deposition at high temperatures in the order of about 1500-1800.degree. C.

Um reator do deposition de vapor químico inclui um tipo dispositivo do pancake de heating da indução para conseguir a temperatura operando-se dentro da câmara do reator. Pelo projeto do susceptor, a força magnética da indução criada na superfície superior do susceptor é insuficiente efetuar aproximadamente o levitation do portador do wafer durante o deposition epitaxial em altas temperaturas na ordem de 1500-1800.degree. C.