A semiconductor substrate comprising a single crystal substrate having thereon a mask and a Group III-V compound semiconductor epitaxially grown layer, said mask comprising an insulating material thin film or high melting point metal thin film having a plurality of slit-like exposed areas running at an angle in excess of 0.degree., and said Group III-V compound semiconductor epitaxially grown layer being formed by growing a Group III-V compound semiconductor starting from each of said plurality of exposed areas and conjunction-integrating the grown semiconductors on said mask.

Uma carcaça do semicondutor que compreende uma carcaça do único cristal que tem thereon uma máscara e uma camada epitaxially crescida composta do semicondutor do grupo III-V, uma máscara dita que compreendem uma película fina material isolando ou a película fina do metal do ponto de derretimento da elevação que têm um plurality cort-como das áreas expostas que funcionam em um ângulo no excesso de 0.degree., e camada epitaxially crescida composta dita do semicondutor do grupo III-V que está sendo dada forma crescendo um semicondutor composto do grupo III-V que começa de cada um de plurality dito de áreas expostas e queintegra os semicondutores crescidos em máscara dita.