A non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell array capable of storing data in volatile and non-volatile states, and a determination circuit for determining whether a row address in a current cycle is the same as that in a previous cycle. When the row address in the current cycle is different from that in the previous cycle, a store operation is performed, where volatile data is stored in the memory cell as non-volatile data; thereafter a recall operation is performed where non-volatile data stored in the memory cell is transformed into volatile data; the resulting volatile data is stored in the memory cell and a sense amplifier, or at least one of the sense amplifier and a latch circuit. When the row address in the current cycle is the same as that in the previous cycle, a read or write operation is performed with respect to volatile data stored in the memory cell, the sense amplifier or latch circuit, but non-volatile data is not read from or written to the memory cell.

Un dispositivo non volatile di memoria a semiconduttore include un allineamento delle cellule di memoria capace di memorizzazione dei dati in volatile e non volatile dichiara e un circuito di determinazione per la determinazione se un indirizzo di fila in un ciclo corrente è lo stesso di quello in un ciclo precedente. Quando l'indirizzo di fila nel ciclo corrente è differente da quello nel ciclo precedente, un funzionamento del deposito è realizzato, dove i dati volatili sono memorizzati nella cellula di memoria come dati non volatili; da allora in poi un funzionamento di richiamo è realizzato dove i dati non volatili memorizzati nella cellula di memoria sono trasformati nei dati volatili; i dati volatili risultanti sono memorizzati nella cellula di memoria ed in un amplificatore di senso, o almeno in uno dell'amplificatore di senso e di un circuito del fermo. Quando l'indirizzo di fila nel ciclo corrente è lo stesso di quello nel ciclo precedente, colta o scrive il funzionamento è effettuata riguardo ai dati volatili memorizzati in cellula di memoria, amplificatore di senso o circuito del fermo, ma i dati non volatili non sono letti da o non sono redatti alla cellula di memoria.