A semiconductor laser of present invention is constructed by an aluminum oxide (Al.sub.2 O.sub.3) film on an end surface opposed to a beam emission surface of the semiconductor laser, a silicon nitride (SiN.sub.x, or Si.sub.3 N.sub.4) film on the aluminum oxide film, and a silicon oxide (SiO.sub.2) film on the silicon nitride film. These films are made successively by a method of Electron Cyclotron Resonance (ECR) sputtering.

Un laser de semi-conducteur de la présente invention est construit par un film de l'oxyde d'aluminium (Al.sub.2 O.sub.3) sur une surface d'extrémité opposée à une surface d'émission de faisceau du laser de semi-conducteur, un film du nitrure de silicium (SiN.sub.x, ou le Si.sub.3 N.sub.4) sur le film d'oxyde d'aluminium, et un film de l'oxyde de silicium (SiO.sub.2) sur le film de nitrure de silicium. Ces films sont faits successivement par une méthode de pulvérisation de la résonance de cyclotron d'électron (caisse enregistrrice électroniqîche).