A metallized structure for use in a microelectronic circuit is set forth. The metallized structure comprises a dielectric layer, an ultra-thin film bonding layer disposed exterior to the dielectric layer, and a low-Me concentration, copper-Me alloy layer disposed exterior to the ultra-thin film bonding layer. The Me is a metal other than copper and, preferably, is zinc. The concentration of the Me is less than about 5 atomic percent, preferably less than about 2 atomic percent, and even more preferably, less than about 1 atomic percent. In a preferred embodiment of the metallized structure, the dielectric layer, ultra-thin film bonding layer and the copper-Me alloy layer are all disposed immediately adjacent one another. If desired, a primary conductor, such as a film of copper, may be formed exterior to the foregoing layer sequence. The present invention also contemplates methods for forming the foregoing structure as well as electroplating baths that may be used to deposit the copper-Me alloy layer.

Установлена металлизированная структура для пользы в микроэлектронной цепи. Металлизированная структура состоит из диэлектрического слоя, ultra-thin экстерьера bonding пленки размещанного слоем к диэлектрическому слою, и низк-я концентрация, мед-я экстерьер сплава размещанный слоем к ultra-thin слою bonding пленки. Я буду металлом за исключением меди и, предпочтительн, буду цинком. Концентрация я чем около 5 атомных процентов, предпочтительн меньш чем около 2 атомных процента, и предпочтительн, меньш чем около 1 атомный процент. В предпочитаемом воплощении металлизированной структуры, диэлектрический слой, ultra-thin слой bonding пленки и мед-я слой все сплава размещанное немедленно смежное одним другое. Если пожелано, главным образом проводник, such as пленка меди, может быть сформированным экстерьером к foregoing последовательности слоя. Присытствыющий вымысел также предусматривает методы для формировать foregoing структуру также,как гальванизируя ванны могут быть использованы для того чтобы депозировать мед-меня слой сплава.

 
Web www.patentalert.com

< Reactor for processing a workpiece using sonic energy

< Apparatus for processing a workpiece

> Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece

> Single semiconductor wafer processor

~ 00032