The present invention provides a method of forming an electromigration
resisting layer in a semiconductor device. In an exemplary embodiment, the
method comprises depositing a corrosion inhibitor comprising an organic
ligand on a conductive layer of a semiconductor device wherein the
conductive layer is susceptible to electromigration. The method further
includes subjecting the corrosion inhibitor and the semiconductor device
to a high temperature anneal to form an electromigration resisting layer
on the conductive layer that reduces electromigration of the conductive
layer.
La presente invenzione fornisce un metodo di formare uno strato di resistenza di electromigration in un dispositivo a semiconduttore. In un incorporamento esemplare, il metodo contiene depositare un inibitore di corrosione che contiene un ligand organico su uno strato conduttivo di un dispositivo a semiconduttore in cui lo strato conduttivo รจ suscettibile di electromigration. Il metodo ulteriore include il soggetto dell'inibitore di corrosione ed il dispositivo a semiconduttore ad una temperatura elevata tempra per formare uno strato di resistenza di electromigration sullo strato conduttivo che riduce il electromigration dello strato conduttivo.
