A computer-implemented molecular dynamics-based process simulates a distribution of ions implanted in a semiconductor substrate. The properties of the semiconductor substrate and ion dose to be simulated are first initialized, including an initial set of splitting depths that contain an equal number of virtual ions implanted in each substrate volume determined by the splitting depths. A first ion with selected velocity is input onto an impact position of the substrate that defines a first domain for the first ion during a first timestep, where the first domain includes only those atoms of the substrate that exert a force on the ion. A first position and velocity of the first ion is determined after the first timestep and a second domain of the first ion is formed at the first position. The first ion is split into first and second virtual ions if the first ion has passed through a splitting interval. The process then follows each virtual ion until all of the virtual ions have come to rest. A new ion is input to the surface and the process repeats until all of the ion dose has been input. The resulting ion rest positions form the simulated implant distribution.

Un processus dynamique-basé moléculaire ordinateur-mis en application simule une distribution des ions implantés dans un substrat de semi-conducteur. Les propriétés de la dose de substrat et d'ion de semi-conducteur à simuler sont d'abord initialisées, y compris un premier ensemble de profondeurs se dédoublantes qui contiennent un nombre égal d'ions virtuels implantés dans chaque volume de substrat déterminé par les profondeurs se dédoublantes. Un premier ion avec la vitesse choisie est entré sur une position d'impact du substrat qui définit un premier domaine pour le premier ion pendant un premier timestep, où le premier domaine inclut seulement ces atomes du substrat qui exercent une force sur l'ion. Une premières position et vitesse du premier ion est déterminée après le premier timestep et un deuxième domaine du premier ion est formé à la première position. Le premier ion est coupé en les ions d'abord et en second lieu virtuels si le premier ion a traversé un intervalle se dédoublant. Le processus suit alors chaque ion virtuel jusqu'à ce que tous les ions virtuels soient venus pour se reposer. Un nouvel ion est entré sur la surface et les répétitions de processus jusqu'à ce que toute la dose d'ion ait été entrée. Les positions de repos résultantes d'ion forment la distribution simulée d'implant.

 
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