The stamping process and a method of fabrication of nano-stamps with characteristic dimensions below 1 nm and up to 100 nm intended for usage in making patterns of characteristic dimensions the same as those of the nano-stamp on surface of a substrate is provided. In the process a very hard stamp is fabricated by first depositing alternating layers of two materials, one of which has very high hardness, on some sacrificial substrate via PVD, CVD or any other deposition procedure that produces alternating layers of selected thickness, from sub 1 nm to above 100 nm. The layered film is then polished to an atomically smooth finish perpendicular to the plane of the layers and etched to produce dips in the softer layers. These steps produce a grid of parallel elevations and valleys on the etched surface, which now can be used as a stamp to stamp out patterns on a substrate of lower hardness than the hardness of the elevated layers. If the substrate is stamped twice with a turning of the stamp 90 degrees between first and second stampings, a square pattern of elevations or hills and valleys is formed, which can be used for magnetic memory storage by subsequently sputtering magnetic material on the tops of the elevations or hills.

Штемпелюя процесс и метод изготовления нано-wtempelhht с характерными размерами под 1 nm и up to 100 nm предназначенное для использования в делать картины характеристики проставляют размеры эти же то из нано-wtempelhht на поверхности субстрата обеспечены. В процессе очень трудный штемпель изготовлен сперва депозируя чередуя слоями 2 материалов, одно из которых имеет очень высокую твердость, на некотором жертвенном субстрате через PVD, cvd или любую другую процедуру по низложения которая производит чередуя слои выбранной толщины, от подводной лодки 1 nm до вышеуказанные 100 nm. Наслоенная пленка после этого отполирована к атомно ровному перпендикуляру отделки к плоскости слоев и вытравлена для того чтобы произвести dips в более мягких слоях. Эти шаги производят решетку параллельных высот и долин на вытравленной поверхности, которую теперь можно использовать как штемпель для того чтобы проштемпелевать из картин на субстрате более низкой твердости чем твердость повышенных слоев. Если субстрат проштемпелеван дважды с поворачивать штемпеля 90 градусов первые и вторые stampings, то сформирована квадратная картина высот или холмов и долин, которые можно использовать для магнитного хранения памяти затем sputtering магнитный материал на верхних частях высот или холмов.