A high-frequency input/output feedthrough comprises a lower dielectric substrate in which are formed a bottom face ground layer, side ground layers, a line conductor and cofacial ground layers (formed on both sides of the line conductor on one and the same face of the lower dielectric substrate); and an upper dielectric substrate joined to the lower dielectric substrate so that portions of the line conductor and cofacial ground layers are sandwiched between the lower and upper dielectric substrate. In order to suppress return and insertion losses of signal in millimeter wave range due to a difference in transmission mode to improve transmission characteristics, the upper dielectric substrate is made thicker than the lower dielectric substrate. The width of the portion of the line conductor which is sandwiched between the lower dielectric substrate and the upper dielectric substrate is smaller than that of another portion. The cofacial ground layers are projected toward the line conductor. The transmission modes for high-frequency signals are matched, so that the return and insertion losses can be reduced and excellent transmission characteristics of high-frequency signals can be attained.

Um feedthrough de alta freqüência do input/output compreende uma carcaça dieléctrica mais baixa em que são dadas forma uma camada à terra da cara inferior, umas camadas à terra laterais, uma linha condutor e as camadas à terra cofacial (dadas forma em ambos os lados da linha condutor em um e a mesma cara da carcaça dieléctrica mais baixa); e uma carcaça dieléctrica superior juntou à carcaça dieléctrica mais baixa de modo que as parcelas da linha condutor e camadas à terra cofacial fossem imprensadas entre a carcaça dieléctrica mais baixa e superior. A fim suprimir o retorno e as perdas da inserção do sinal no milímetro acene a escala devido a uma diferença na modalidade de transmissão melhorar características da transmissão, a carcaça dieléctrica superior é feito mais grossa do que a carcaça dieléctrica mais baixa. A largura da parcela da linha condutor que é imprensada entre a carcaça dieléctrica mais baixa e a carcaça dieléctrica superior é menor do que aquela de uma outra parcela. As camadas à terra cofacial são projetadas para a linha condutor. As modalidades de transmissão para sinais de alta freqüência são combinadas, de modo que o retorno e as perdas da inserção possam ser reduzidos e as características excelentes da transmissão de sinais de alta freqüência possam ser alcançadas.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Voltage supplying device, and semiconductor device, electro-optical device and electronic instrument using the same

> Focused ion beam processing apparatus

> (none)

~ 00031