The magnetoresistive memory provides for an improvement in interference immunity even though only a small chip area is used. Word lines are situated vertically between two complementary bit lines, a magnetoresistive memory system of a regular location is situated between a bit line and a word line, and an appertaining magnetoresistive layer system of a complementary memory location is situated between the complementary bit line and the word line in the vertical direction.

Das magnetoresistente Gedächtnis stellt für eine Verbesserung in der Störung Immunität zur Verfügung, obwohl nur ein kleiner Spanbereich verwendet wird. Wortlinien werden vertikal zwischen zwei ergänzenden Spitze Linien aufgestellt, wird ein magnetoresistentes Gedächtnissystem einer regelmäßigen Position zwischen einer Spitze Linie und einer Wortlinie aufgestellt, und ein gehörendes magnetoresistentes Schichtsystem einer ergänzenden Gedächtnisposition wird zwischen der ergänzenden Spitze Linie und der Wortlinie in der vertikalen Richtung aufgestellt.