Multilayer thin films consisting of alternating layers of oxide and organic polymer dielectric materials are manufactured by chemical vapor deposition using a CVD apparatus comprising separate precursor volatilization/dissociation areas. Methods are described for the manufacture of multilayered films. The electrical properties of the multilayered films make the films of embodiments of this invention suitable for use as dielectric materials for semiconductor manufacture. The multilayered films of embodiments this invention reduce RC delay and cross-talk, thereby permitting increased density, higher frequency performance and greater reliability of semiconductor devices for use in the electronics industry.

Οι πολυστρωματικές λεπτές ταινίες που αποτελούνται από τα εναλλασσόμενα στρώματα του οξειδίου και τα οργανικά πολυμερή διηλεκτρικά υλικά κατασκευάζονται από την απόθεση χημικού ατμού χρησιμοποιώντας μια cvd συσκευή περιλαμβάνοντας τις χωριστές περιοχές αεριοποίησης/διαχωρισμού προδρόμων. Οι μέθοδοι περιγράφονται για την κατασκευή των πολυστρωματικών ταινιών. Οι ηλεκτρικές ιδιότητες των πολυστρωματικών ταινιών καθιστούν τις ταινίες των ενσωματώσεων αυτής της εφεύρεσης κατάλληλες για τη χρήση ως διηλεκτρικά υλικά για την κατασκευή ημιαγωγών. Οι πολυστρωματικές ταινίες των ενσωματώσεων αυτή η εφεύρεση μειώνουν την καθυστέρηση RC και τη λογομαχία, με αυτόν τον τρόπο επιτρέποντας την αυξανόμενη πυκνότητα, την απόδοση υψηλότερης συχνότητας και τη μεγαλύτερη αξιοπιστία των συσκευών ημιαγωγών για τη χρήση στη βιομηχανία ηλεκτρονικής.