A method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate. In one embodiment, the apparatus can include a fixed abrasive polishing pad having metal abrasive elements selected to be a compound of metal in the substrate. Alternatively, the metal abrasive elements can include a refractory metal where the substrate includes a refractory metal. Where the substrate includes two metals, the abrasive elements can be selected to planarize the first metal at a rate that is less than approximately twice the rate at which it planarizes the second metal. A single fixed abrasive polishing pad and a single planarizing liquid can be used to planarize both metals.

Une méthode et un appareil pour planarizing un substrat microélectronique. Dans une incorporation, l'appareil peut inclure une garniture de polissage abrasive fixe faisant choisir les éléments abrasifs en métal pour être un composé de métal dans le substrat. Alternativement, les éléments abrasifs en métal peuvent inclure un métal réfractaire où le substrat inclut un métal réfractaire. Là où le substrat inclut deux métaux, les éléments abrasifs peuvent être choisis planarize le premier métal à un taux qui est moins qu'approximativement deux fois le taux auquel il planarizes le deuxième métal. Une garniture de polissage abrasive fixe simple et un liquide planarizing simple peuvent être employés planarize les deux métaux.