A method of making a diode and the diode wherein there is provided a substrate of p-type group II-VI semiconductor material and an electrically conductive material capable of forming an ohmic contact with the substrate is forced into the lattice of the substrate to create an n-type region in the substrate in contact with the material and forming an electrical contact to the p-type region of said substrate. The substrate is preferably HgCdTe and the electrically conductive material is preferably tungsten or tin coated tungsten or tungsten coated with a mercury amalgam. Also a method of making an infrared focal plane array and the array wherein there is provided a semiconductor integrated circuit having electrically conductive pads on a surface thereof, forming bumps of an electrically conductive material on predetermined ones of the pads, providing a substrate of p-type group II-VI semiconductor material, disposing a layer of bonding material over one of the surface of the integrated circuit containing the pads or a surface of the substrate, forcing the bumps into the lattice of the substrate to create an n-type region in the substrate in contact with the material, bonding the substrate to the integrated circuit and forming an electrical connection between the p-type region of the substrate and one of the pads. The process is otherwise the same as the diode fabrication.

Une méthode de la fabrication d'une diode et de la diode où on équipe un substrat de p-type matériel de semi-conducteur du groupe II-VI et un matériel électriquement conducteur capable de former un contact ohmique de substrat est obligatoire dans le trellis du substrat pour créer un n-type région dans le substrat en contact avec le matériel et former un contact électrique au p-type région de ledit substrat. Le substrat est de préférence HgCdTe et le matériel électriquement conducteur est de préférence tungstène ou tungstène enduit par étain ou tungstène enduit d'un amalgame de mercure. En outre une méthode de la fabrication d'une rangée plate focale infrarouge et de la rangée où on fournit un circuit intégré de semi-conducteur ayant électriquement les garnitures conductrices sur une surface en, formant des bosses d'un matériel électriquement conducteur sur prédéterminé des garnitures, fournissant un substrat de p-type matériel de semi-conducteur du groupe II-VI, disposant une couche du matériel de liaison plus d'un de la surface du circuit intégré contenant les garnitures ou d'une surface du substrat, forçant les bosses dans le trellis du substrat pour créer un n-type région dans le substrat en contact avec le matériel, collant le substrat sur le circuit intégré et formant un raccordement électrique entre le p-type région de substrat et une des garnitures. Le processus est autrement identique que la fabrication de diode.

 
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> Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation

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