A method for fabricating a semiconductor device having an aluminum (Al) interconnection layer with excellent surface morphology forms an interface control layer having a plurality of atomic layers before forming the Al interconnection layer. In the fabrication method, an interlayer dielectric (ILD) film having a contact hole which exposes a conductive region of the semiconductor substrate is formed on a semiconductor substrate, and an interface control layer having a plurality of atomic layers continuously deposited is formed on the inner wall of the contact hole and the upper surface of the interlayer dielectric film, to a thickness on the order of several angstroms to several tens of angstroms. Then, chemical vapor deposition (CVD) completes an Al blanket deposition on the resultant structure, including the interface control layer, to form a contact plug in the contact hole and an interconnection layer on the interlayer dielectric film.

Een methode om een halfgeleiderapparaat te vervaardigen dat een laag van de aluminium (Al) interconnectie met de uitstekende oppervlaktemorfologie heeft vormt een laag die van de interfacecontrole een meerderheid van atoomlagen heeft alvorens de Al interconnectielaag te vormen. In de vervaardigingsmethode, wordt een tussenlaag diëlektrische (ILD) film die een contactgat heeft dat een geleidend gebied van het halfgeleidersubstraat blootstelt gevormd op een halfgeleidersubstraat, en een laag die van de interfacecontrole een meerderheid van atoom onophoudelijk gedeponeerde lagen heeft wordt gevormd op de binnenmuur van het contactgat en de hogere oppervlakte van de tussenlaag diëlektrische film, aan een dikte op de orde van verscheidene angstroms aan verscheidene tientallen angstroms. Dan, voltooit het chemische dampdeposito (CVD) een Al algemeen deposito op de resulterende structuur, met inbegrip van de laag van de interfacecontrole, om een contactstop in het contactgat te vormen en een interconnectielaag op de tussenlaag diëlektrische film.