Several methods are used in novel ways with newly identified and viable
parameters to decrease the peak transition energies of the pseudomorphic
InGaAs/GaAs heterostructures. These techniques, taken separately or in
combination, suffice to permit operation of light emitting devices at
wavelengths of 1.3 .mu.m or greater of light-emitting electro-optic
devices. These methods or techniques, by example, include: (1) utilizing
new superlattice structures having high In concentrations in the active
region, (2) utilizing strain compensation to increase the usable layer
thickness for quantum wells with appropriately high In concentrations, (3)
utilizing appropriately small amounts of nitrogen (N) in the pseudomorphic
InGaAsN/GaAs laser structure, and (4) use of nominal (111) oriented
substrates to increase the usable layer thickness for quantum wells with
appropriately high In concentrations. In all of the above techniques, gain
offset may be utilized in VCSELs to detune the emission energy lower than
the peak transition energy, by about 25 meV or even more, via appropriate
DBR spacing. Gain offset may also be utilized in some forms of in-plane
lasers. Increased temperature may also be used to decrease peak transition
energy (and therefore the emission energy) by about 50 meV/100.degree. C.
All these techniques are furthermore applicable to other material systems,
for example, extending the emission wavelength for laser diodes grown on
InP substrates. Additionally, structures which utilize the above
techniques are discussed.
Несколько методов использованы в дорогах романа с нов определенными и жизнеспособными параметрами для того чтобы уменьшить пиковые энергии перехода pseudomorphic гетероструктур InGaAs/GaAs. Эти методы, принятые отдельно или в комбинацию, будут достаточным позволить деятельность света испуская приспособления на длины волны mu.m 1.3 или больш светоиспускающих electro-optic приспособлений. Эти методы или методы, примером, вклюают: (1) использующ новые структуры superlattice имея максимум в концентрации в активно зоне, (2) использующ компенсацию напряжения для того чтобы увеличить годную к употреблению толщину слоя для суммы хлынется с соотвествующе высоко в концентрации, (3) использующ соотвествующе малое количество азота (N) в pseudomorphic структуре лазера InGaAsN/GaAs, и (4) пользе штатных (111) ориентированного субстрата увеличить годную к употреблению толщину слоя для добр суммы с соотвествующе высоко в концентрации. В всем из вышеуказанных методов, смещение увеличения может быть использовано в VCSELs для того чтобы расстроить энергию излучения более низко чем пиковая энергия перехода, meV около 25 or even больше, через соотвествующее дистанционирование DBR. Смещение увеличения может также быть использовано в некоторых формах лазеров в-ploskosti. Увеличенная температура может также быть использована для того чтобы уменьшить пиковую энергию перехода (и поэтому энергию излучения) около 50 meV/100.degree. Ч. Все эти методы furthermore применимы к другим материальным системам, например, расширяя длину волны излучения для диодов лазера, котор выросли на субстратах inP. Дополнительно, структуры которые используют вышеуказанные методы обсужены.