A magnetic memory of the random access type (MRAM) contains a memory cell array formed of a multiplicity of memory cells. The memory cells are disposed in the form of a matrix at the points of intersection of word lines and sense lines and the logical data contents of which are defined by a magnetic state. The magnetic memory further contains an addressing circuit allocated to the word lines. The address circuit applies a read voltage to the word line of one or more selected memory cells, the data contents of which are to be read out. An evaluation circuit is provided that is allocated to the sense lines and receives and evaluates a sense signal corresponding to the data contents of the selected memory cell or memory cells. The evaluation circuit has a comparator circuit receiving a reference signal supplied by a reference element that is compared with the sense signal of the memory cell or memory cells to be read out.

Uma memória magnética do tipo do acesso aleatório (MRAM) contem uma disposição de pilha da memória dada forma de um multiplicity de pilhas de memória. As pilhas de memória são dispostas no formulário de uma matriz nos pontos de interseção das linhas da palavra e as linhas do sentido e os índices lógicos dos dados de que são definidos por um estado magnético. A memória magnética mais adicional contem um circuito dirigindo-se alocado às linhas da palavra. O circuito do endereço aplica uma tensão lida à linha da palavra de uma ou de mais as pilhas de memória selecionadas, os índices dos dados de que devem ser lida para fora. Um circuito da avaliação é contanto que é alocado às linhas do sentido e recebe e avalía um sinal de sentido que corresponde aos índices dos dados da pilha de memória ou das pilhas de memória selecionadas. O circuito da avaliação tem um circuito de comparador receber um sinal da referência fornecido por um elemento da referência que seja comparado com o sinal de sentido da pilha de memória ou das pilhas de memória ser lido para fora.