A semiconductor device comprising a first connecting plug for bit contact and a second connecting plug for storage node contact buried in a first inter-layer insulating layer covering the transistor and projecting from the transistor. The bit line is buried in a second inter-layer insulating layer and connected to the first connecting plug. The electrode of the storage node is partially buried in the second inter-layer insulating layer, connected on the second connecting plug, and projected above the second inter-layer insulating layer.

Un dispositivo a semiconduttore che contiene una prima spina di collegamento per il contatto della punta e una seconda spina di collegamento per il contatto di nodo di immagazzinaggio sepolto in uno strato isolante del primo strato intermedio che copre il transistore e che si proietta dal transistore. La linea della punta è sepolta in uno strato isolante del secondo strato intermedio ed è collegata alla prima spina di collegamento. L'elettrodo del nodo di immagazzinaggio parzialmente è sepolto nello strato isolante del secondo strato intermedio, è collegato sulla seconda spina di collegamento ed è proiettato sopra lo strato isolante del secondo strato intermedio.