An apparatus, process for forming an apparatus, and method for testing a semiconductor die having first and second die terminals. The apparatus includes a substrate having a coefficient of thermal expansion approximately equal to a thermal expansion coefficient of the die. The substrate includes first and second test terminals positioned on a surface of the substrate and positionable proximate to the die. The first test terminal is a conductive portion aligned with and spaced apart from a conductive portion of the first die terminal when the substrate is positioned proximate to the die. The first test terminal is coupleable to a variable power source current to generate a variable signal at the first test terminal and capacitively generate a corresponding signal at the first die terminal. The second test terminal is aligned with the second die terminal when the conductive portion of the first test terminal is aligned with the first die terminal.

Прибор, процесс для формировать прибор, и метод для испытывать плашку полупроводника имея сперва и во-вторых стержни плашки. Прибор вклюает субстрат имея коэффициент термального расширения приблизительно равный к коэффициенту термального расширения плашки. Субстрат вклюает сперва и вторые стержни испытания расположенные на поверхность субстрата и positionable proximate к плашке. Первым стержнем испытания будет проводная часть выровнянная с и размеченная отдельно от проводной части первого стержня плашки когда субстрат расположенные proximate к плашке. Первый стержень испытания coupleable к переменному течению источника питания для того чтобы произвести переменный сигнал на первом стержне испытания и capacitively произвести соответствуя сигнал на первом стержне плашки. Второй стержень испытания выровнян с вторым стержнем плашки когда проводная часть первого стержня испытания выровняна с первым стержнем плашки.