A simple pinned layer or an antiparallel (AP) pinned structure employs a cobalt niobium (CoNb) based layer or film for increasing the resistance of the pinned structure while maintaining a high magnetization (M.sub.S). The cobalt niobium (CoNb) based material has sufficient niobium (Nb) to make the material amorphous for increasing the resistance. With this arrangement, less sense current I.sub.S is conducted through the pinned structure which increases signals detected by the spin valve sensor as well decreasing the sense current field on the free layer of the spin valve sensor.

Ένα απλό καρφωμένο στρώμα ή μια αντιπαράλληλη καρφωμένη (AP) δομή χρησιμοποιεί ένα στρώμα ή μια ταινία νιόβιου κοβαλτίου βασισμένη (CoNb) για την αύξηση της αντίστασης της καρφωμένης δομής διατηρώντας μια υψηλή μαγνήτιση (M.sub.S). Το βασισμένο υλικό νιόβιου κοβαλτίου (CoNb) έχει το ικανοποιητικό νιόβιο (Nb) για να καταστήσει το υλικό άμορφο για την αύξηση της αντίστασης. Με αυτήν την ρύθμιση, η λιγότερη αίσθηση τρέχον I.sub.S διευθύνεται μέσω της καρφωμένης δομής που αυξάνει τα σήματα που ανιχνεύονται από τον αισθητήρα βαλβίδων περιστροφής επίσης που μειώνουν τον τρέχοντα τομέα αίσθησης στο ελεύθερο στρώμα του αισθητήρα βαλβίδων περιστροφής.