A sensing amplifier of a nonvolatile ferroelectric memory device is provided in which a data bus is commonly used to read and write data. Thus, the sensing amplifier does not use separate data buses to increase stability in amplification. The sensing amplifier of a nonvolatile ferroelectric memory device has three-stage amplification that amplifies the signals of bitlines of the memory device. A first amplification stage amplifies the signals of the bitlines, a first data bus is commonly used to read and write the data and can transfer an output signal of the first amplification stage, and a second amplification stage that can amplify a signal of the first data bus. A second data bus is commonly used to read and write the data and can transfer an output signal of the second amplification stage, and a third amplification stage amplifies a signal of the second data bus.

On fournit un amplificateur de sensation d'un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile en lequel un bus de données est généralement utilisé pour indiquer et écrire des données. Ainsi, l'amplificateur de sensation n'utilise pas les bus de données séparés pour augmenter la stabilité dans l'amplification. L'amplificateur de sensation d'un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile a l'amplification d'trois-étape qui amplifie les signaux des bitlines du bloc de mémoires. Une première étape d'amplification amplifie les signaux des bitlines, un premier bus de données est généralement utilisé pour indiquer et écrire les données et peut transférer un signal de sortie de la première étape d'amplification, et une deuxième étape d'amplification qui peut amplifier un signal du premier bus de données. Un deuxième bus de données est généralement utilisé pour indiquer et écrire les données et peut transférer un signal de sortie de la deuxième étape d'amplification, et une troisième étape d'amplification amplifie un signal du deuxième bus de données.