A method of depositing a thin film on a substrate in a semiconductor device using Atomic Layer Deposition (ALD) process parameters exposes the substrate to at least one adherent material in a quantity sufficient for the material to adsorb onto the substrate and thereby form an initiation layer. The initiation layer presents at least one first reactive moiety which is then chemically reacted with at least one first reaction material using atomic layer deposition conditions to form a second reactive moiety. The second reactive moiety is then chemically reacted with at least one second reaction material under process conditions sufficient to form a reaction layer over the initiation layer. The process may be repeated to form successive reaction layers over the initiation layer. The adherent material constituting the initiation layer is preferably one which is not substantially degraded by the atomic layer deposition parameters. The initiation layer together with one or more reaction layer(s) constitutes the final film.

Eine Methode des Niederlegens eines Dünnfilms auf einem Substrat in einem Halbleiterelement, das Atomverwendet Prozeßparameter der schicht-Absetzung (ALD) setzt das Substrat mindestens einem anhaftenden Material in einer Quantität aus, die damit das Material auf das Substrat absorbiert und dadurch eine Anfangsschicht genügend ist, bildet. Die Anfangsschicht stellt mindestens eine erste reagierende Hälfte dar, die dann chemisch mit mindestens einem ersten Reaktion Material mit Atomschichtabsetzungzuständen, eine zweite reagierende Hälfte zu bilden reagiert wird. Die zweite reagierende Hälfte wird dann chemisch mit mindestens einem zweiten Reaktion Material unter den Prozeßbedingungen reagiert, die genügend sind, eine Reaktion Schicht über der Anfangsschicht zu bilden. Der Prozeß kann wiederholt werden, um aufeinanderfolgende Reaktion Schichten über der Anfangsschicht zu bilden. Das anhaftende Material, welches die Anfangsschicht festsetzt, ist- vorzugsweise eins, das nicht im wesentlichen durch die Atomschichtabsetzungparameter vermindert wird. Die Anfangsschicht zusammen mit einem oder mehr Reaktion layer(s) setzt den abschließenden Film fest.