A semiconductor device production method of the invention includes a step of packaging a semiconductor chip with a transparent material (14) which penetrates a laser beam (13) within a predetermined range of wavelength having sufficient energy to cut part of an adjustable circuit (12), and a step of trimming part of the adjustable circuit (12) to obtain a target value of electric properties for the adjustable circuit by focusing, after the packaging step, the laser beam (13) onto the adjustable circuit from an upper surface of the semiconductor chip through the transparent material.

Een de productiemethode van het halfgeleiderapparaat van de uitvinding omvat een stap van de verpakking van een halfgeleiderspaander met een transparant materiaal (14) dat een laserstraal (13) binnen een vooraf bepaalde waaier van golflengte die voldoende energie heeft om een deel van een regelbare kring (12) te snijden, en een stap van het in orde maken van een deel van regelbare kring (12) om een doelwaarde van elektrische eigenschappen voor de regelbare kring door, na de verpakkende stap, laserstraal (13) op de regelbare kring te concentreren uit een hogere oppervlakte van de halfgeleiderspaander te verkrijgen door het transparante materiaal doordringt.