The present invention is a method for removing deposited etch byproducts from surfaces of a semiconductor processing chamber after a copper etch process. The method of the invention comprises the following general steps: (a) an oxidation step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with an oxidizing plasma; (b) a first non-plasma cleaning step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with an H.sup.+ hfac-comprising gas; and (c) a second cleaning step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with a plasma containing reactive fluorine species, whereby at least a portion of the copper etch byproducts remaining after step (b) are volatilized into gaseous species, which are removed from the processing chamber. The method of the invention is preferably performed at a chamber wall temperature of at least 150.degree. C. in order to achieve optimum cleaning of the chamber at the chamber operating pressures typically used during the cleaning process. The dry cleaning method of the invention can be performed between wafer processing runs without opening the processing chamber, thereby minimizing potential contamination to the chamber as well as chamber downtime.

La presente invenzione è un metodo per la rimozione dei sottoprodotti depositati incissione all'acquaforte dalle superfici di un semiconduttore che procede l'alloggiamento dopo che un processo di rame incissione all'acquaforte. Il metodo dell'invenzione contiene i seguenti punti generali: (a) un punto di ossidazione, in cui le superfici interne dell'alloggiamento d'elaborazione si mettono in contatto con con un plasma d'ossidazione; (b) un primo punto di pulizia del non-plasma, in cui le superfici interne dell'alloggiamento d'elaborazione si mettono in contatto con con un gas hfac-contenente di H.sup.+; e (c) un secondo punto di pulizia, in cui le superfici interne dell'alloggiamento d'elaborazione si mettono in contatto con con un plasma che contiene la specie reattiva del fluoro, per cui almeno una parte dei sottoprodotti di rame incissione all'acquaforte restanti dopo che il punto (b) sia volatilizzato nelle specie gassose, che sono rimosse dall'alloggiamento d'elaborazione. Il metodo dell'invenzione è effettuato preferibilmente ad una temperatura della parete dell'alloggiamento almeno di 150.degree. C. per per realizzare pulizia ottimale dell'alloggiamento alle pressioni di funzionamento dell'alloggiamento usate tipicamente durante il processo di pulizia. Il metodo di lavaggio a secco dell'invenzione può essere effettuato fra i funzionamenti di elaborazione della cialda senza aprire l'alloggiamento d'elaborazione, quindi minimizzante la contaminazione potenziale all'alloggiamento così come il tempo morto dell'alloggiamento.