Mesoscopic magnetic field sensors which can detect weak magnetic fields (typically 0.05 Tesla) over areas as small as tens of thousands of square nanometers (e.g. 40 nm.times.400 nm). The combination of enhanced magneto-resistance in an inhomogeneous high mobility semiconductor, having special electrode arrangements, with the use of island lithography, enables the production of special semiconductor/metal nano-composite structures, and has made possible the fabrication of an entirely new type of magnetic field sensor which exhibits very superior magneto-resistive behavior.

Датчики магнитного поля Mesoscopic могут обнаружить слабые магнитные поля (типично 0.05 Tesla) над зонами как малыми как 10 тысяч квадратных нанометров (например 40 nm.times.400 nm). Комбинация увеличенного magneto-resistance в негомогенном высоком полупроводнике удобоподвижности, имеющ специальные расположения электрода, с пользой литографирования острова, включает продукцию специальных структур semiconductor/metal нано-sostavnyx, и делала возможным изготовление вс нового На тип датчика магнитного поля который exhibits очень главное магниторезистивное поведение.