In one aspect, the invention encompasses a method of forming an insulating material around a conductive component. A first material is chemical vapor deposited over and around a conductive component. Cavities are formed within the first material. After the cavities are formed, at least some of the first material is transformed into an insulative second material. In another aspect, the invention encompasses a method of forming an insulating material. Polysilicon is deposited proximate a substrate. A porosity of the polysilicon is increased. After the porosity is increased, at least some of the polysilicon is transformed into silicon dioxide.

En un aspecto, la invención abarca un método de formar un material aislador alrededor de un componente conductor. Un primer material es vapor químico depositado sobre y alrededor de un componente conductor. Las cavidades se forman dentro del primer material. Después de que se formen las cavidades, por lo menos algo del primer material se transforma en un segundo material insulative. En otro aspecto, la invención abarca un método de formar un material aislador. Polysilicon es próximo depositado un substrato. Una porosidad del polysilicon se aumenta. Después de que se aumente la porosidad, por lo menos algo del polysilicon se transforma en el dióxido del silicio.