An isolation technique is provided for improving the overall planarity of isolation regions relative to adjacent active area silicon mesas. The isolation process results in a trench formed in field regions immediately adjacent the active regions. The trench, however, does not extend entirely across the field region. By preventing large area trenches, substantial dielectric fill material and the problems of subsequent planarization of that fill material is avoided. Accordingly, the present isolation technique does not require conventional fill dielectric normally associated with a shallow trench process. While it achieves the advantages of forming silicon mesas, the present process avoids having to rework dielectric surfaces in large area field regions using conventional sacrificial etchback, block masking and chemical-mechanical polishing. The improved isolation technique hereof utilizes trenches of minimal width etched into the silicon substrate at the periphery of field regions, leaving a field mesa. A field dielectric, preferably oxide, is formed upon the field mesa and fills trenches between the field mesa and active mesas, leaving a substantially planar field dielectric commensurate with the upper surface of adjacent active mesas.

Eine Lokalisierung Technik wird für das Verbessern des gesamten planarity der relative.to angrenzenden Beschriftungsbereich-Silikon-MESAS der Lokalisierung Regionen zur Verfügung gestellt. Der Lokalisierung Prozeß ergibt einen Graben, der innen gebildet wird, auffangen die angrenzenden Regionen sofort die aktiven Regionen. Der Graben jedoch verlängert völlig nicht über der auffangenregion. Indem man große Bereich Gräben verhindert, wird erhebliches dielektrisches Füllmaterial und die Probleme folgendem planarization dieses Füllmaterials vermieden. Dementsprechend erfordert die anwesende Lokalisierung Technik nicht den herkömmlichen Füllenichtleiter, der normalerweise mit einem flachen Grabenprozeß verbunden ist. Während sie die Vorteile der Formung von von Silikon-MESAS erzielt, vermeidet der anwesende Prozeß dielektrische Oberflächen im großen Bereich überarbeiten zu müssen auffangen Regionen mit herkömmlichem Opferetchback, blockieren verdeckend und Chemikalie-mechanisches polierend. Die verbesserte Lokalisierung Technik verwendet hiervon die Gräben der minimalen Breite geätzt in das Silikonsubstrat an der Peripherie von auffangen die Regionen und läßt ein auffangenMESA. Ein auffangennichtleiter, vorzugsweise Oxid, wird nach dem auffangenMESA und füllt Gräben zwischen dem auffangenMESA gebildet und den aktiven MESAS, verlassend fangen ein im wesentlichen planares den Nichtleiter auf, der mit der Oberfläche der angrenzenden aktiven MESAS angemessen ist.