In an optical semiconductor device including a semiconductor substrate, an active layer formed on the semiconductor substrate, a pnpn-type current blocking layer formed on a side of the active layer, and a carrier recombination layer on the semiconductor substrate on the side of the active layer, a structure of the active layer is different from a structure of the carrier recombination layer.

In un dispositivo ottico a semiconduttore compreso un substrato a semiconduttore, uno strato attivo ha formato sul substrato a semiconduttore, un pnpn-tipo strato ostruente corrente formato da un lato dello strato attivo e uno strato di ricombinazione dell'elemento portante sul substrato a semiconduttore dal lato dello strato attivo, una struttura dello strato attivo è differente da una struttura dello strato di ricombinazione dell'elemento portante.