In a semiconductor light emitting element using InGaAlP semiconductors, reduced in operative voltage and increased in optical output, a contact layer doped with a predetermined amount of carbon is provided to reduce the contact resistance at the contact with an ITO electrode because carbon does not readily diffuse like zinc and does not deteriorate the element characteristics. An intermediate band gap layer having an intermediate band gap between those of a contact layer and a cladding layer may be interposed between these layers to alleviate band discontinuity between their valence bands, thereby promote inflow of holes and decrease the element resistance.

En un elemento que emite ligero del semiconductor usando los semiconductores de InGaAlP, reducidos en voltaje operativo y crecientes en la salida óptica, una capa del contacto dopada con una cantidad predeterminada de carbón se proporciona para reducir la resistencia del contacto en el contacto con un electrodo de ITO porque el carbón no difunde fácilmente como el cinc y no deteriora las características del elemento. Una capa intermedia del boquete de la venda que tiene un boquete intermedio de la venda entre los de una capa del contacto y de una capa del revestimiento se puede interponer entre estas capas para aliviar discontinuidad de la venda entre sus vendas de la valencia, de tal modo para promover la afluencia de agujeros y para disminuir la resistencia del elemento.