An etch-stop layer is selectively provided between layers of a multiple-layered circuit so as to allow for outgassing of impurities during subsequent fabrication processes. The etch-stop layer is formed over an underlying stud so as to serve as an alignment target during formation of an overlying stud formed in an upper layer to be coupled to the underlying stud. In this manner multiple-layered circuits, for example memory devices, can be fabricated in relatively dense configurations.

Ένα στρώμα χαράζω-στάσεων παρέχεται επιλεκτικά μεταξύ των στρωμάτων ενός πολλαπλάσιος-βαλμένου σε στρώσεις κυκλώματος ώστε να επιτρέψει outgassing των ακαθαρσιών κατά τη διάρκεια των επόμενων διαδικασιών επεξεργασίας. Το στρώμα χαράζω-στάσεων διαμορφώνεται πέρα από ένα ελλοχεύον στήριγμα ώστε να χρησιμεύσει ως ένας στόχος ευθυγράμμισης κατά τη διάρκεια του σχηματισμού ενός στηρίγματος κάλυψης που διαμορφώνεται σε ένα ανώτερο στρώμα που συνδέεται με το ελλοχεύον στήριγμα. Αυτός ο τρόπος στα πολλαπλάσιος-βαλμένα σε στρώσεις κυκλώματα, παραδείγματος χάριν οι συσκευές μνήμης, μπορούν να κατασκευαστούν στις σχετικά πυκνές διαμορφώσεις.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Antibodies with increased binding affinity

> Ferromagnetic tunnel junction random access memory, spin valve random access memory, single ferromagnetic layer random access memory, and memory cell array using the same

> (none)

~ 00028