Apparatus and method for determining a real time, non-contact temperature measurement of semiconductor wafers is provided in a computer-based data gathering system. The apparatus includes a moving carrier containing semiconductor wafers and a pyrometer and a reflectometer positioned above the spinning wafer carrier for providing temperature and reflectivity data samples taken from the semiconductor wafers and spinning carrier. The data are then provided to an attached computer. The attached computer receives the reflectivity and temperature data pairs, stores them in a data table and records the frequency of occurrence of each of the reflectivity values in the series of reflectivity and temperature data. Software operating on the computer has instructions for identifying at least one reflectivity data peak representative of the reflectivity characteristics of the semiconductor wafers and instructions for determining the temperature of the semiconductor wafers based upon the frequency of occurrence of the reflectivity data and the associated reflectivity-temperature data.

Apparat und Methode für die Bestimmung eines Realzeit-, berührungsfreien Temperaturmaßes der Halbleiterplättchen wird in computer-gestützten Daten vorgesehen, die System erfassen. Der Apparat schließt eine bewegliche Fördermaschine mit ein, die Halbleiterplättchen und ein Pyrometer und ein Reflectometer in Position gebracht wird über die spinnende Oblatefördermaschine für das Zur Verfügung stellen der Temperatur- und Reflexionsvermögendatenproben enthält, die von den Halbleiterplättchen genommen werden und das Spinnen der Fördermaschine. Die Daten werden dann zu einem angebrachten Computer zur Verfügung gestellt. Der angebrachte Computer empfängt die Reflexionsvermögen- und Temperaturdatenpaare, speichert sie in einer Datentabelle und notiert die Frequenz des Auftretens von jedem der Reflexionsvermögenwerte in der Reihe von Reflexionsvermögen- und Temperaturdaten. Die Software, die auf dem Computer funktioniert, hat Anweisungen für das Kennzeichnen mindestens von von einem Reflexionsvermögendaten-Spitze Repräsentanten der Reflexionsvermögeneigenschaften der Halbleiterplättchen und Anweisungen für die Bestimmung der Temperatur der Halbleiterplättchen, die nach der Frequenz des Auftretens der Reflexionsvermögendaten und der verbundenen Reflexionsvermögen-Temperatur Daten gegründet werden.